一种高效晶体硅太阳电池局部背接触结构的制备方法专利登记公告

专利名称：一种高效晶体硅太阳电池局部背接触结构的制备方法

摘要：本发明涉及晶体硅太阳电池，特指一种高效晶体硅太阳电池局部背接触结构的制备方法。本发明利用氧化铝做背钝化层，采用飞秒激光热效应和化学还原相结合的方法，在氧化铝钝化层上进行扫描，实现电池的背面栅电极制作。本发明一方面可简化工艺；另一方面在保证良好欧姆接触的同时，显著降低对钝化层的破坏，从而提高电池效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210028434.3

专利申请（专利权）人：常州大学

专利发明（设计）人：丁建宁;袁宁一;邱建华;王秀琴

主权项：一种高效晶体硅太阳电池局部背接触结构的制备方法，包括制备氧化铝钝化层的步骤，激光扫描的步骤和蒸镀铝层的步骤，其特征在于：激光扫描的步骤为：采用飞秒激光热效应和化学还原相结合的方法，在氧化铝钝化层上进行扫描，实现电池的背面栅电极制作，具体如下：在氢气或一氧化碳气氛下，利用飞秒激光在钝化层上所需位置扫描，采用中心波长为808?nm的钛宝石飞秒激光系统；激光器输出中心波长808?nm，脉冲宽度30~100飞秒，重复频率1?~10?kHz；输出激光由衰减片调节单脉冲能量为0.01~2毫焦，飞秒激光引入显微镜，经滤

专利地区：江苏