多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法专利登记公告

专利名称：多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法

摘要：本发明涉及一种多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法，包括以下步骤：1、入炉；2、氧化；3、第一次磷源扩散；4、第一次杂质分布；5、第二次磷源扩散；6、第二次杂质分布；7、吸杂；8、出炉。该多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法具有优良的磷杂质掺杂浓度分布，扩散速率可控性较强，提高硅片扩散的一次成品率，提高多晶硅片少子寿命，扩散过程中磷源利用率较高的优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210028482.2

专利申请（专利权）人：苏州盛康光伏科技有限公司

专利发明（设计）人：宋令枝;吴胜勇;吕加先;张涌

主权项：一种多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法，其特征在于方法步骤如下：步骤一、入炉将制绒后的硅片放入初始温度为780~820℃的管式扩散炉中，在硅片入炉过程中向管式扩散炉的进气管路通入氧气，通入氧气的流量为0.25~0.35L/min；步骤二、氧化将管式扩散炉升温至820?850℃，升温速率为4~6℃/min，向进气管路继续通入氧气进行氧化，通入氧气的流量为0.45~0.55L/min，进行氧化的时间为35~45min；步骤三、第一次磷源扩散将管式扩散炉温度控制在810?830℃，向进气管路通入小氮、氧气以及大

专利地区：江苏