等离子体处理系统ESC高压控制专利登记公告

专利名称：等离子体处理系统ESC高压控制

摘要：揭示了一种等离子体处理系统。该等离子体处理系统可包括置于等离子体处理室内部并被配置为支撑晶片的静电卡盘(ESC)。该ESC可包括用于向该晶片提供第一力的正端子(+ESC)和用于向该晶片提供第二力的负端子(-ESC)。该等离子体处理系统还可包括被配置为测量用于计算施加到该正端子的正负载电流的值的第一组电压的第一转阻放大器(TIA)和第二TIA。该等离子体处理系统还可包括被配置为测量用于计算施加到该负端子的负负载电流的值的第二组电压的第三TIA和第四TIA。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210023452.2

专利申请（专利权）人：朗姆研究公司

专利发明（设计）人：赛义德·贾法·雅法良-特哈妮;拉尔夫·战平·鲁

主权项：一种用于在等离子处理系统内处理过程中固定晶片的装置，包括：电源；静电卡盘(ESC)，位于等离子处理室内部，并被配置为支撑该晶片，该ESC包括正端子和负端子，其中将正高压经由RF过滤器提供至该正端子，并将负高压经由该RF过滤器提供至该负端子；第一转阻放大器(TIA)和第二TIA，其被配置为测量第一组电压以用于确定施加到该正端子的正负载电流的值；第三TIA和第四TIA，其被配置为测量第二组电压以用于确定施加到该负端子的负负载电流的值；以及配置为使用该正负载电流的值和该负负载电流的值调整偏置电压以平衡该第一力和

专利地区：美国