一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法专利登记公告

专利名称：一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法

摘要：一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及工业硅的提纯方法。将工业硅加入石墨坩埚中；启动中频感应电源加热，按功率增加依次添加造渣剂到石墨坩埚中；待物料熔化后，维持功率不变，反应温度控制在1600～1800℃，使硅液和造渣剂混合反应；造渣充分后，降低中频频率，将渣系倒入应接水箱中，水冷后硅与渣基本分离，取样经等离子电感耦合质谱仪分析测量硅中B，P杂质含量。采用掺杂氯化物作为造渣剂的组分，使得渣硅更容易分离，同时对硅中杂质B、P有非常明显的去除效果，造渣完成后结合定向凝固和酸洗等工艺，可得到太阳能级

专利类型：发明专利

专利号：CN201210024702.4

专利申请（专利权）人：厦门大学

专利发明（设计）人：罗学涛;余德钦;林彦旭;方明;卢成浩;李锦堂

主权项：一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法，其特征在于包括以下步骤：1)配好造渣剂；2)将工业硅加入石墨坩埚中；3)启动中频感应电源加热，均匀增加功率，按功率增加依次添加造渣剂到石墨坩埚中；4)待物料熔化后，维持功率不变，反应温度控制在1600～1800℃，同时搅拌使硅液和造渣剂混合反应；5)造渣充分后，降低中频频率，将渣系倒入应接水箱中，水冷后硅与渣分离。

专利地区：福建