一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法专利登记公告

专利名称：一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法

摘要：一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法，涉及多晶硅的提纯方法。将装有工业硅和工业铁粉的石墨坩埚放入感应熔炼炉中加热，通入氩气；将感应熔炼炉升温至1550～1620℃，保温3～5h；将经过保温的合金降温至1220～1270℃，然后淬火处理；将经过淬火处理的硅锭粉碎，然后磨成硅粉，再清洗；将清洗后的硅粉放入氢氟酸中酸洗，清洗后烘干；将烘干后的硅粉与钙粒混合后放入石墨坩埚，进行二次熔炼后，降温至1050～1100℃，然后淬火处理；将硅锭粉碎，清洗，然后放入盐酸中酸洗，再清洗后烘干，得到的硅粉即为采用二次合金法提纯的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210024958.5

专利申请（专利权）人：厦门大学

专利发明（设计）人：罗学涛;林彦旭;余德钦;李锦堂;方明;卢成浩

主权项：一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将装有工业硅和工业铁粉的石墨坩埚放入感应熔炼炉中加热，通入氩气；2)将感应熔炼炉升温至1550～1620℃，保温3～5h；3)将步骤2)中经过保温的合金降温至1220～1270℃，然后淬火处理；4)将步骤3)中经过淬火处理的硅锭粉碎，然后磨成硅粉，再清洗；5)将步骤4)清洗后的硅粉放入氢氟酸中酸洗，清洗后烘干；6)将烘干后的硅粉与钙粒混合后放入石墨坩埚，进行二次熔炼后，降温至1050～1100℃，然后淬火处理；7)将步骤6)中的硅锭粉碎，清洗

专利地区：福建