微晶硅膜形成方法以及太阳电池专利登记公告

专利名称：微晶硅膜形成方法以及太阳电池

摘要：本发明目的在于提供一种可以在低流量的氢气气体下形成微晶硅膜的PCVD法，提供更廉价的微晶硅太阳电池。在通过PCVD法形成微晶硅膜的方法中，其特征在于在真空室内，将一端和高频率电源连接、另一端和和地面连接的多个天线排列在一个平面内，制成天线阵列构造，对该天线阵列构造相对地配置基板，该基板的温度为150～250℃，导入包含氢气气体和硅烷气体的混合气体，对所述多个天线提供高频电力产生等离子体，将氢气气体/硅烷气体流量比调节在1-10的范围，在所述基板上形成源自结晶硅的520cm-1附近的拉曼散射强度Ic和源自非

专利类型：发明专利

专利号：CN201210025140.5

专利申请（专利权）人：株式会社IHI

专利发明（设计）人：上田仁;高木朋子;伊藤宪和

主权项：一种微晶硅膜形成方法，其特征在于，在通过等离子体CVD法形成微晶硅的方法中，在真空室内，在一个平面内配置折曲成U字型的多个感应耦合型天线，构成天线阵列，隔开间隔配置3列上述天线阵列，将所述天线的两端部分别与高频电源和地面连接，对向于所述各天线阵列配置基板，使所述基板的温度为150～250℃，导入包含氢气气体和硅烷气体的混合气体，由所述高频电源对所述天线提供高频电力，在对应于所述3列的3个区产生等离子体，在1～10的范围调节氢气气体/硅烷气体流量比，在所述基板上形成源自微晶硅的520cm?1附近的拉曼散射强

专利地区：日本