高纯纳米粉体Mg_2-xSiTM_x热电材料的制备方法专利登记公告

专利名称：高纯纳米粉体Mg_2-xSiTM_x热电材料的制备方法

摘要：一种高纯纳米粉体Mg2-xSiTMx热电材料的制备方法，属于热电材料制备领域，具体而言是一种用微波反应法制备高纯纳米粉体Mg2-xSiTMx热电材料的方法的技术方案。其特征在于是由MgH2粉、Si粉和过渡金属氢化物TMHy粉在微波炉中反应，反应全过程在流动Ar气保护下，MgH2和TMHy分解温度均小于350℃，在反应过程中反应物易于分解并均匀分布于基体中，其强还原性有助于抑制基体表面吸附氧和氧化产物的进一步形成，得到纯度为≥99.95％的高纯纳米Mg2-xSiTMx粉末。本方法的特点是工艺简单且高效节能，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210026254.1

专利申请（专利权）人：太原理工大学

专利发明（设计）人：陈少平;樊文浩;孟庆森;易堂红;孙政;李育德

主权项：一种高纯纳米粉体Mg2?xSiTMx热电材料的制备方法，其特征在于该方法是一种用微波反应法制备高纯纳米粉体Mg2?xSiTMx热电材料的方法，该方法是由MgH2粉、Si粉和过渡金属氢化物TMHy粉在微波炉中反应，反应全过程在流动Ar气保护下，MgH2和TMHy分解温度均小于350℃，在反应过程中反应物易于分解并均匀分布于基体中，其强还原性有助于抑制基体表面吸附氧和氧化产物的进一步形成，得到纯度为≥99.95％的高纯纳米Mg2?xSiTMx粉末，反应方程式为：(2?x)MgH2+Si+xTMHy＝Mg2?x

专利地区：山西