一种转移阵列硅纳米线的方法专利登记公告

专利名称：一种转移阵列硅纳米线的方法

摘要：本发明公开了一种转移阵列硅纳米线的方法。传统转移硅线方法时硅线容易团簇成束状，不易形成分散排列的阵列，而且转移过程复杂，不易操作。本发明首先将单晶硅片依次通过丙酮、乙醇、去离子水、强氧化性混合液清洗干净；其次用湿化学腐蚀的方法制备阵列硅纳米线，并采用无电沉积方法在单晶硅片表面沉积银颗粒催化剂；最后将经过切割的单晶硅片上的阵列硅纳米线，转移到具有粘附性的胶带上。本发明具有简便、易操作、成本低的特点，同时可用于转移其它材料的纳米线阵列。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210071643.6

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：沙健;罗亚菲;王业伍

主权项：?一种转移阵列硅纳米线的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤(1).将单晶硅片清洗干净；首先，将单晶硅片放在丙酮中超声20分钟，去除单晶硅片表面的有机杂质；接着放入乙醇中再超声20分钟，去除单晶硅片表面的丙酮；然后放入去离子水中超声20分钟，去除单晶硅片表面的乙醇；最后将单晶硅片放入强氧化性混合液中，去除单晶硅片表面的氧化硅；所述的强氧化性混合液由浓度为98%的浓硫酸和30wt%的双氧水以4:1的体积比混合组成；所述的步骤(1)中采用的单晶硅片为100晶面方向，厚度为500μm；步骤(2).用湿化学腐蚀的方

专利地区：浙江