TFT阵列基板的制作方法专利登记公告

专利名称：TFT阵列基板的制作方法

摘要：本发明涉及了一种TFT阵列基板的制作方法，包括步骤：依次沉积第一透明导电层以及第一金属层，进行图形化处理形成公共电极、栅极以及透明电极阵列；依次沉积绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层，进行图形化处理在有源层的两侧形成源极和漏极；沉积第二透明导电层，进行图形化处理形成源极接触层、漏极接触层以及与漏极接触层连接的像素电极阵列；在有源层的沟道表面形成保护层。本发明的TFT阵列基板的制作方法简化了制作工艺、节约了制作成本并且节省了制作时间。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210026475.9

专利申请（专利权）人：深圳市华星光电技术有限公司

专利发明（设计）人：覃事建

主权项：一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：A、依次沉积第一透明导电层以及第一金属层，进行图形化处理形成公共电极、栅极以及透明电极阵列；B、依次沉积绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层，进行图形化处理使所述第二金属层在所述有源层的两侧形成源极和漏极；C、沉积第二透明导电层，进行图形化处理形成源极接触层、漏极接触层以及与所述漏极接触层连接的像素电极阵列；D、在所述有源层的沟道表面形成保护层。

专利地区：广东