制备铜双大马士革结构的方法专利登记公告

专利名称：制备铜双大马士革结构的方法

摘要：本发明公开了一种制备铜双大马士革结构的方法，包括，在半导体衬底上依次淀积第一介质层、第二介质层和无机抗反射层；涂布第一层光刻胶，并进行曝光和曝光后烘烤；涂布第二层光刻胶，并进行曝光和曝光后烘烤；进行显影工艺；经多步刻蚀工艺，形成双大马士革结构的通孔和沟槽；在所述通孔和沟槽内填充铜金属。所述方法通过相继两次涂胶曝光和一次显影工艺首先在第一层光刻胶和第二层光刻胶形成双大马士革结构的形貌，然后通过刻蚀工艺将第一层光刻胶和第二层光刻胶中的双大马士革结构的形貌向下传递至下层结构中，从而省去了现有技术中双大马士革工艺

专利类型：发明专利

专利号：CN201210099941.6

专利申请（专利权）人：上海集成电路研发中心有限公司

专利发明（设计）人：胡红梅

主权项：一种制备铜双大马士革结构的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次淀积第一介质层、第二介质层和无机抗反射层；在所述无机抗反射层上涂布第一层光刻胶，并进行曝光和曝光后烘烤；在所述第一层光刻胶上涂布第二层光刻胶，并进行曝光和曝光后烘烤；进行显影工艺，以在所述第一层光刻胶中形成第一光刻胶图形，在所述第二层光刻胶中形成第二光刻胶图形；经多步刻蚀工艺，以分别在所述第一介质层和第二介质层中形成双大马士革结构的通孔和沟槽；在所述通孔和沟槽内填充铜金属，完成铜双大马士革结构的制备工艺。

专利地区：上海