含碳薄膜中碳元素的去除方法以及SiOC控挡片的再生方法专利登记公告

专利名称：含碳薄膜中碳元素的去除方法以及SiOC控挡片的再生方法

摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，首先是一种含碳薄膜中碳元素的去除方法，采用O3等离子体灰化该含碳薄膜，氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离。本发明还提出一种SiOC控挡片的再生方法，所述方法包括：首先，采用O3等离子体灰化SiOC薄膜，氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离，SiOC薄膜生成类似SiO2薄膜；然后，采用氢氟酸湿法刻蚀去除该类似SiO2薄膜。本发明通过采用氧化能力更强的O3等离子体取代传统工艺中的O2等离子体进行碳元素的去除或者灰化工艺，相比O2能够提高效率、降低能耗、节约生产成

专利类型：发明专利

专利号：CN201210081514.5

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：张景春;顾梅梅;陈建维;张旭升

主权项：一种含碳薄膜中碳元素的去除方法，其特征在于：采用O3等离子体灰化该含碳薄膜，氧自由基与C元素反应生成CO或者CO2被抽离。

专利地区：上海