一种改善接触孔高度均匀性的方法专利登记公告

专利名称：一种改善接触孔高度均匀性的方法

摘要：本发明提供一种改善接触孔高度均匀性的方法，包括：先在硅衬底表面淀积一前金属介电层，所述硅衬底表面设有NMOS和/或PMOS晶体管；将前金属介电层研磨至设计厚度，后对前金属介电层进行离子掺杂；最后，激活所掺杂的离子。本发明提供的方法利用了HDPUSG其厚度均匀性好这一特点，先用HDPUSG做为前金属介电质层，并研磨至设计所需高度，然后再用离子注入的方法对其进行掺杂，从而提高接触孔高度均匀性，从而改善接触孔的电阻等电学性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210077743.X

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：徐强

主权项：一种改善接触孔高度均匀性的方法，其特征在于，包括：先在硅衬底表面淀积一前金属介电层，所述硅衬底表面设有NMOS和/或PMOS晶体管；将前金属介电层研磨至设计厚度，然后对前金属介电层进行离子掺杂；最后，激活所掺杂的离子。

专利地区：上海