一种纳米结构量子态电注入发光测试方法专利登记公告
专利名称:一种纳米结构量子态电注入发光测试方法
摘要:一种纳米结构量子态电注入发光测试方法,涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光纤、高分辨率扫描电子显微镜、样品台及光谱仪作为联合实验平台,采用双扫描隧道探针作为电注入端、探针与样品间所产生的隧道电流作为注入电流、光纤作为光信号收集端。选取待测微区,选取待测纳米结构,光纤定位,双探针定位,高能量分辨率电注入发光测试,高空间分辨率载流子选择性注入测试。
专利类型:发明专利
专利号:CN201210026594.4
专利申请(专利权)人:厦门大学
专利发明(设计)人:康俊勇;李孔翌;蔡端俊;杨旭;李书平;詹华瀚;李恒;陈晓航
主权项:一种纳米结构量子态电注入发光测试方法,其特征在于包括以下步骤:1)选取待测微区,具体方法是将样品置于样品台上,在高分辨率扫描电子显微镜下观测样品形貌,选取待测微区;2)选取待测纳米结构,具体方法是利用电化学腐蚀法,制作适用于待测微区测试的多节扫描隧道探针,以便于在待测微区内有更大的操纵空间,并易于高分辨率扫描电子显微镜下清晰的观察与辅助定位;在高分辨扫描电子显微镜下可视化地调动双扫描隧道探针,使其移至待测微区附近;逐级增大扫描电镜放大倍数,在待测微区内选取待测纳米结构;进一步调整探针位置,在高分辨扫描电子
专利地区:福建
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目,不代表该专利由我公司代理取得,上述专利权利属于专利权人,未经(专利权人)许可,擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利,请搜索专利权人联系方式,获得专利权人的授权许可。