一种四结四元化合物太阳能电池及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种四结四元化合物太阳能电池及其制备方法

摘要：本发明公开了一种四结四元化合物太阳能电池及其制备方法。在InP生长衬底上形成具有第一带隙、晶格常数与衬底晶格匹配的第一子电池，在所述第一子电池上形成具有比第一带隙大的第二带隙、晶格常数与衬底晶格匹配的第二子电池，在所述第二子电池上形成具有比第二带隙大的第三带隙的渐变缓冲层，在所述渐变缓冲层上形成其具有比第三带隙大的第四带隙、晶格常数小于衬底晶格常数的第三子电池，在所述第三子电池上形成具有比所述第四带隙大的第五带隙、晶格常数与第三子电池匹配的第四子电池，然后通过生长衬底剥离、支撑衬底键合、电极制备、减反膜蒸

专利类型：发明专利

专利号：CN201210026736.7

专利申请（专利权）人：天津三安光电有限公司

专利发明（设计）人：毕京锋;林桂江;刘建庆;熊伟平;宋明辉;王良均;丁杰;林志东

主权项：一种四结四元化合物太阳能电池，其包括：InP生长衬底；第一子电池，形成于所述生长衬底之上，具有第一带隙，且其晶格常数与生长衬底匹配；第二子电池，形成于第一子电池之上，具有比第一带隙大的第二带隙，且其晶格常数与衬底匹配；?渐变缓冲层，形成于第二子电池之上，具有比第二带隙大的第三带隙，且其组分渐变，晶格常数随组分变化逐步缩小；第三子电池，形成于渐变缓冲层之上，具有比第三带隙大的第四带隙，且其晶格常数小于衬底和第一、二子电池；第四子电池，形成于第三子电池之上，具有比第四带隙大的第五带隙，且其晶格常数与第三子电池

专利地区：天津