硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池及其制备方法专利登记公告

专利名称：硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池及其制备方法

摘要：本发明公开了一种硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池及其制备方法，其特征是在P型硅基底层的底面设置Al金属膜背电极层，作为背面引出电极；P型硅基底层位于Al金属膜背电极层之上，作为太阳能电池的基区；P型硅纳米线阵列层位于P型硅基底层的上表面，在P型硅纳米线阵列层的表面包裹有Ti金属层，以Ti金属层与P型硅纳米线阵列层形成肖特基结；在Ti金属层上设置Ti栅型电极，作为正面引出电极；硅纳米线阵列或为硅纳米孔阵列。本发明工艺简单、适合大规模生产，可制备光吸收能力强、光电转换效率高的太阳能电池，为硅纳米

专利类型：发明专利

专利号：CN201210037358.2

专利申请（专利权）人：合肥工业大学

专利发明（设计）人：揭建胜;谢超;吴春燕;王莉;彭强;于永强;郭惠尔;朱志峰

主权项：一种硅纳米线阵列或硅纳米孔阵列肖特基结型太阳能电池，其特征是具有如下结构：在P型硅基底层(7)的底面设置Al金属膜背电极层(6)，作为背面引出电极；P型硅基底层(7)位于Al金属膜背电极层(6)之上，作为太阳能电池的基区；P型硅纳米线阵列层(8)位于所述P型硅基底层(7)的上表面，在所述P型硅纳米线阵列层(8)的表面包裹有Ti金属层(9)，以所述Ti金属层(9)与所述P型硅纳米线阵列层(8)形成肖特基结；在所述Ti金属层(9)上设置Ti栅型电极(10)，作为正面引出电极；所述硅纳米线阵列或为硅纳米孔阵列。

专利地区：安徽