半导体装置的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置的制造方法

摘要：本发明的目的在于提供具有电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及量产性高的该半导体装置的制造方法。本发明的要旨在于：包括作为半导体层使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210027007.3

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平;宫入秀和;秋元健吾;白石康次郎

主权项：一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：在栅电极之上形成绝缘膜；在所述栅电极之上形成氧化物半导体膜，所述绝缘膜在所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间，所述氧化物半导体膜包括将成为沟道形成区域的区域；和在不施加偏压的情况下，用包含氧的气体的等离子体来处理所述氧化物半导体膜的上表面。

专利地区：日本