一种硅基悬空的金属纳米针孔及其加工方法专利登记公告

专利名称：一种硅基悬空的金属纳米针孔及其加工方法

摘要：本发明提供一种硅基悬空的金属纳米针孔及其加工方法，该纳米针孔制作于硅基悬空的金属薄膜上。其制作流程包括：选取双面抛光硅片，在硅片的上表面沉积金属膜，再在硅片的两个表面分别沉积氮化硅膜。然后在硅片上表面涂光刻胶进行光刻，刻蚀氮化硅层和金属层，获得粗定位标识图形。再在硅片下表面涂光刻胶、光刻、刻蚀氮化硅层、湿法腐蚀体硅，获得硅基悬空的金属膜。最后采用聚焦离子束在硅基悬空的金属膜上制备精对准标识和纳米针孔。本发明利用灵活有效、精密度高的聚焦离子束在金属膜上直接加工纳米针孔，实现纳米精度的操作，同时实现入射光点与

专利类型：发明专利

专利号：CN201210027093.8

专利申请（专利权）人：中国科学院光电技术研究所

专利发明（设计）人：邱传凯;岳衢;潘丽;余翔;李国俊;李飞;周崇喜;饶学军

主权项：一种硅基悬空的金属纳米针孔的加工方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：步骤(1)选取双面抛光的硅片作为基底；步骤(2)采用磁控溅射或真空离子镀技术，在硅片的上表面沉积厚度为100～300nm的金属膜；步骤(3)采用化学气相沉积或磁控溅射技术在金属膜层上和硅片的下表面分别沉积厚度为100～200nm的氮化硅膜；步骤(4)在硅片沉积有金属膜和氮化硅膜的表面涂覆光刻胶，经过前烘、光刻、显影工艺，获得粗定位标识光刻胶图形；步骤(5)以光刻胶为掩蔽层，采用干法刻蚀技术刻蚀氮化硅层；步骤(6)以氮化硅为掩蔽层，采用湿

专利地区：四川