一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法专利登记公告

专利名称：一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法

摘要：本发明涉及一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法，该人工电磁材料是由金属-掺杂介质-金属三层结构组成的微纳米图形结构，可用于红外、太赫兹波段。其制作方法包括：选择绝缘硅，利用沉积、粘结、干法刻蚀、湿法腐蚀、再沉积的技术，在基片上获得金属-掺杂介质-金属的三层结构；在三层结构之上进行光刻，获得光刻胶图形；利用离子束刻蚀将光刻胶图形转移到金属膜层上，即可获得基于金属-掺杂介质-金属三层结构的人工电磁材料。本发明的制作方法避免了常规方法如溅射、离子注入、键合等方法制备掺杂硅带来的掺杂难、掺杂不均、掺杂

专利类型：发明专利

专利号：CN201210026732.9

专利申请（专利权）人：中国科学院光电技术研究所

专利发明（设计）人：邱传凯;胡承刚;岳衢;张铁军;李国俊;罗先刚;潘丽;李飞

主权项：一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料的制作方法，其特征在于该方法包括如下步骤：步骤(1)选取合适的双面抛光的SOI片，清洗干净，并在SOI片顶层的掺杂硅表面沉积一层金属膜；步骤(2)另取单面抛光的硅片，在抛光表面涂覆一层粘结剂；步骤(3)利用粘连剂将沉积有金属膜的SOI片与硅片粘结，并将粘结好的硅片?SOI片进行烘烤固化；步骤(4)利用干法刻蚀将硅片?SOI片结构中SOI片的底层单晶硅进行刻蚀减薄；步骤(5)采用氢氧化钾湿法腐蚀，将硅片?SOI片结构中SOI片上剩余的底层单晶硅腐蚀完毕，使SOI片的二氧化

专利地区：四川