一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法专利登记公告

专利名称：一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法

摘要：本发明公开了一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是以硅片为基底，将硅片表面清洗后取出晾干即为样品A，在样品A的表面旋涂光刻胶，烘干光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的图形形式制接触式掩模板，利用该掩模板对光刻胶层进行曝光获得样品B，取下样品B在显影液中经4-6分钟显影洗去被曝光的光刻胶得样品C；在样品C的表面镀厚度为20～50纳米的金膜得到样品D；将样品D置于丙酮中去光刻胶及其上的金，保留与金接触的硅片即为样品E；将样品E浸入在刻蚀液中进行金催化化学刻蚀，在完成刻蚀后即得硅微/纳米线阵列。本发明用以

专利类型：发明专利

专利号：CN201210011537.9

专利申请（专利权）人：合肥工业大学

专利发明（设计）人：罗林保;揭建胜;聂彪;吴春艳;于永强

主权项：一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是按如下步骤进行：(1)、以硅片为基底，将硅片依次放置在去离子水和丙酮中进行超声清洗后，随后浸入在60?100℃的食人鱼洗液中，5?20分钟后取出晾干即为样品A，在所述样品A的表面旋涂光刻胶，烘干后形成300～500纳米厚度的光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的图形形式制作接触式掩模板，利用具有硅微/纳米线阵列图形的接触式掩模板对光刻胶层进行紫外曝光40s获得样品B，取下所述样品B在显影液中经4?6分钟显影洗去被曝光的光刻胶得样品C；(2)、利用微电子镀膜设备在所

专利地区：安徽