批量制备的3D互连专利登记公告

专利名称：批量制备的3D互连

摘要：本发明涉及批量制备的3D互连。在实例中，提供了制备一个或更多垂直互连的方法。该方法包括图案化和堆叠多个晶片以形成晶片堆叠。在晶片堆叠中在晶片堆叠的一个或更多锯道内可以形成多个孔，并且可以将导电材料沉积在该多个孔的侧墙上。可以沿着该一个或更多锯道并且通过该多个孔对该晶片堆叠进行划片以使得侧墙上的导电材料在所得到的堆叠管芯的边缘部分上暴露。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110461892.1

专利申请（专利权）人：霍尼韦尔国际公司

专利发明（设计）人：R·D·霍尔宁

主权项：一种制备三维微机电系统(MEMS)惯性测量单元(IMU)芯片的方法，该方法包括：在多个晶片中图案化多个MEMS陀螺仪以及多个MEMS加速度计；堆叠该多个晶片以形成在其中相邻晶片结合在一起的晶片堆叠，该晶片堆叠具有顶部表面与底部表面；在晶片堆叠的顶部表面以及底部表面上图案化导电迹线；在晶片堆叠的一个或更多锯道内形成通过该晶片堆叠的多个孔；在该多个孔的侧墙上沉积金属以使得导电材料连接到晶片堆叠的顶部表面以及底部表面上的导电迹线；以及沿着该一个或更多锯道并且通过该多个孔对该晶片堆叠进行划片从而使得侧墙上的导电材

专利地区：美国