一种离子束和电子束调制开关的制作方法专利登记公告

专利名称：一种离子束和电子束调制开关的制作方法

摘要：本发明公开了一种离子束和电子束调制开关的制作方法，其包括如下步骤：S101：准备衬底，其中衬底包括衬底层、绝缘层和高掺杂硅层；S102：在高掺杂硅层的正面涂上一层光刻胶层；S103：在光刻胶层上光刻出电极图形；S104：将电极图形通过腐蚀的方法转移到高掺杂硅层上，制作出梳状电极；S105：去除高掺杂硅层正面上的光刻胶层，并将衬底翻转，并在衬底层底面上涂上一层光刻胶层；S106：在光刻胶层上光刻出衬底层背面开口图形；S107：腐蚀衬底层，制作出衬底层背面开口；S108：将绝缘层腐蚀掉，释放梳状电极；S109

专利类型：发明专利

专利号：CN201110418692.8

专利申请（专利权）人：深圳市盛喜路科技有限公司

专利发明（设计）人：王文辉;杨忠钰;施林伟;李维;邓江东

主权项：一种离子束和电子束调制开关的制作方法，其包括如下步骤：S101：准备衬底，其中该衬底包括衬底层、绝缘层和高掺杂硅层，其中所述绝缘层设置在所述衬底层和所述高掺杂硅层之间；S102：在所述高掺杂硅层的正面涂上一层光刻胶层；S103：在所述光刻胶层上光刻出电极图形；S104：将所述电极图形通过腐蚀的方法转移到所述高掺杂硅层上，制作出梳状电极；S105：去除所述高掺杂硅层正面上的光刻胶层，并将所述衬底翻转，并在衬底层底面上涂上一层光刻胶层；S106：在所述光刻胶层上光刻出衬底层背面开口图形；S107：腐蚀所述衬底

专利地区：广东