MEMS器件形成方法和具有MEMS结构的器件专利登记公告

专利名称：MEMS器件形成方法和具有MEMS结构的器件

摘要：一种形成MEMS器件的方法，包括：用在衬底结构(100)上沉积的牺牲层部分(130)来封闭MEMS元件(122)，所述牺牲层部分限定了用于MEMS器件的腔体(150)；形成从所述牺牲层部分向外延伸的另一牺牲材料的至少一个条带(132)；在牺牲层部分上形成覆盖层部分(140)，所述覆盖层部分终止于至少一个条带；去除牺牲层部分和至少一个条带，所述至少一个条带的去除限定了在覆盖层下面横向延伸的至少一个排放道(134)；以及密封所述至少一个排放道。还公开了一种包括这种已封装微机电结构(122)的器件。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110415082.2

专利申请（专利权）人：NXP股份有限公司

专利发明（设计）人：迈克尔·因赞特;威姆·范登艾登;哈罗德·罗森

主权项：一种形成MEMS器件的方法，包括：用在衬底结构(100)上沉积的牺牲层部分(130)来封闭MEMS元件(122)，所述牺牲层部分限定了用于MEMS器件的腔体(150)；形成从所述牺牲层部分向外延伸的另一牺牲材料的至少一个条带(132)；在牺牲层部分上形成覆盖层部分(140)，所述覆盖层部分终止于所述至少一个条带；去除牺牲层部分和所述至少一个条带，所述至少一个条带的去除限定了在覆盖层部分下面横向延伸的至少一个排放道(134)；以及密封所述至少一个排放道。

专利地区：荷兰