薄膜晶体管阵列及其线路结构专利登记公告

专利名称：薄膜晶体管阵列及其线路结构

摘要：一种薄膜晶体管阵列及其线路结构，其中线路结构包括一图案化金属层，一透明导电层与一介电层。透明导电层形成于图案化金属层的顶面并与其接触。介电层覆盖图案化金属层以及透明导电层并与其接触。另外，介电层具有一暴露出部分透明导电层的接触窗。所述位于图案化金属层顶面的透明导电层可以防止在制作接触窗时对图案化金属层的表层金属造成的破坏。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210027447.9

专利申请（专利权）人：友达光电股份有限公司

专利发明（设计）人：郑朝云;郭行健;庄智强

主权项：一种薄膜晶体管阵列的线路结构，其特征在于，包括：一图案化金属层；一透明导电层，形成于该图案化金属层的顶面并与其接触；以及一介电层，覆盖该图案化金属层以及该透明导电层并与其接触，该介电层具有一接触窗，该接触窗暴露出一部分的该透明导电层。

专利地区：台湾