提高静电保护器件维持电压的方法专利登记公告

专利名称：提高静电保护器件维持电压的方法

摘要：公开了一种提高静电保护器件维持电压的方法，包括：首先在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件；然后在可控硅器件寄生晶体管反馈路径中嵌入半导体元件，用于抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。本发明提供的一种提高静电保护器件维持电压的方法，在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件，在可控硅器件寄生晶体管反馈路径中嵌入如二极管、二极管串、晶体管或MOS管等可抑制可控硅正反馈的半导体元件，抑制可控硅自身的正反馈，提升可控

专利类型：发明专利

专利号：CN201210048205.8

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：姜一波;杜寰

主权项：一种提高静电保护器件维持电压的方法，其特征在于，包括：首先在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件；然后在可控硅器件寄生晶体管反馈路径中嵌入半导体元件，用于抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。

专利地区：北京