一种基于SOI和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种基于SOI和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法

摘要：本发明提供一种基于绝缘硅(SOI)和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法，该金属纳米线阵的各金属线之间由掺杂硅介质材料填充，其制备流程包括：选取SOI，并在其上下表面各沉积一层氮化硅薄膜；采用光刻及干法刻蚀，在SOI下底面氮化硅膜层上制作一个开口，露出体硅表面；采用氢氧化钾湿法腐蚀，以氮化硅为掩蔽层将露出的体硅表面腐蚀完毕，露出二氧化硅表面；在SOI的上表面涂覆光刻胶，通过光刻和刻蚀制作纳米通孔；将具有纳米通孔的SOI器件电铸，获得掺杂硅包裹的金属线条；采用干法刻蚀将氮化硅去除，并用氢氟酸溶液去除二氧化硅，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210027790.3

专利申请（专利权）人：中国科学院光电技术研究所

专利发明（设计）人：潘丽;岳衢;胡承刚;张铁军;李飞;罗先刚;邱传凯;周崇喜

主权项：一种基于SOI和电铸技术的金属纳米线阵的制备方法，其特征在于：该方法的步骤如下：步骤(1)选择双面抛光的SOI基片，将表面清洗干净；步骤(2)在SOI的硅表面和掺杂硅表面分别沉积一层厚度为400～600nm的氮化硅薄膜；步骤(3)在SOI下底面的氮化硅膜层上均匀涂覆一层厚度为1～2μm的光刻胶，光刻制作出腐蚀的开口区，并置于烘箱或热板进行坚膜；步骤(4)以光刻胶为掩蔽层，采用干法刻蚀将开口区的氮化硅刻蚀完毕，露出下底面的硅表面；步骤(5)以氮化硅为掩蔽层，采用湿法腐蚀将露出的下底面体硅腐蚀完毕，露出二氧化

专利地区：四川