一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法专利登记公告

专利名称：一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法

摘要：本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)表面清洗及织构化，然后采用单步扩散法对p型硅片进行轻扩散，制备p-n+结；(2)清洗刻蚀去边、镀减反射膜；(3)在硅片的镀膜面电极区域丝网印刷含磷的银浆料，形成p-n++结；(4)第一次烧结；(5)在硅片的非镀膜面印刷背电极和背电场；(6)第二次烧结，即可得到选择性发射极晶体硅太阳电池。本发明开发了一种新的制备选择性发射极晶体硅太阳电池的方法，该方法的制备成本较低，制备时间较短，且可与现有标准电池工艺兼容，具有产业化前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210028525.7

专利申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司

专利发明（设计）人：张为国;王栩生;章灵军

主权项：一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)?表面清洗及织构化，然后采用单步扩散法对p型硅片进行轻扩散，制备p?n+结；(2)?清洗刻蚀去边、镀减反射膜；(3)?在硅片的镀膜面电极区域丝网印刷含磷的银浆料，形成p?n++结；(4)?第一次烧结；(5)?在硅片的非镀膜面印刷背电极和背电场；(6)?第二次烧结，即可得到选择性发射极晶体硅太阳电池。

专利地区：江苏