一种高效低价晶体硅太阳电池的制备方法专利登记公告

专利名称：一种高效低价晶体硅太阳电池的制备方法

摘要：本发明涉及晶体硅，特指一种高效低价晶体硅太阳电池的制备方法，特指在电池前表面制备仿生光子晶体陷光结构并多层减反射膜，在电池背面生长掺杂氧化硅颗粒层，用于提高电池效率，减少电池片厚度，降低电池成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210030304.3

专利申请（专利权）人：常州大学

专利发明（设计）人：丁建宁;袁宁一;陈双林

主权项：一种高效低价晶体硅太阳电池的制备方法，包括扩散掺杂的步骤、仿生光子晶体与多层膜结合的减反结构的制备步骤、硅片背面颗粒的制备步骤、铝背场的制作步骤、背面电极的制作步骤、正面栅状电极的制作步骤和烧结步骤，其特征在于：所述的仿生光子晶体与多层膜结合的减反结构的制备步骤为：选取绿带翠凤蝶翅膀上墨绿色区域的鳞片，先置于浓度3?10wt%的稀盐酸中30?90?min用于去除无机盐，后置于5?10wt?%?的NaOH溶液中，浸渍60?200?min用于去除有机蛋白及脱乙醚；然后将处理过的鳞片模版平铺在硅片前表面上，放入

专利地区：江苏