半导体存储装置专利登记公告

专利名称：半导体存储装置

摘要：本发明提供一种可以抑制对存储单元所施加的高电压的不均而精度良好地供给高电压的半导体存储装置。所述半导体存储装置包含存储单元阵列(23)、Y译码器电路(21)、X译码器电路(22)、读出放大器电路(24)、Y栅极电路(25)、高电压产生电路(2)、高电压调节电路(30)、电压调整电路(30A)等。用以调整齐纳二极管(15)的阳极侧的电位而调整对存储单元阵列(23)所施加的高电压的电压修正数据被写入至存储单元阵列(23)中。使用所述电压修正数据，通过电压调整电路(30A)进行电压调整。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210031140.6

专利申请（专利权）人：罗姆股份有限公司

专利发明（设计）人：今井丈晴;高木宏树

主权项：一种半导体存储装置，其特征在于包含：高电压产生电路，其用以对存储器供给高电压；高电压调节电路，其是将所述高电压产生电路中所产生的高电压维持为固定电压的电路，且包含电压设定用元件；电压调整电路，其调整所述电压设定用元件的电位而调整供给至存储器的高电压；及存储部，其存储着供给至所述电压调整电路的电压修正数据。

专利地区：日本