半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法

摘要：本公开涉及半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法。本发明的半导体衬底在即使使用耐热温度低的支撑衬底如玻璃衬底等的情况下也可以防止杂质对半导体层造成污染，并提高支撑衬底和半导体层的键合强度。本发明还提供一种半导体装置，该半导体装置通过使用半导体层形成电场效应晶体管可以减少键合漏电流。本发明的半导体装置的制造方法包括：在半导体衬底的表面形成包含第一卤素的氧化膜；通过照射第二卤素的离子，在半导体衬底中形成分离层并将第二卤素包含在半导体衬底中；在夹着包含氢的绝缘膜地重叠半导体衬底和支撑衬底的状态下进行加热处理；以

专利类型：发明专利

专利号：CN201210032693.3

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平

主权项：一种半导体衬底，包括：包含第一卤素的单晶半导体层；在所述单晶半导体层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包含第二卤素；在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层包含氮；在所述第二绝缘层上的第三绝缘层，所述第三绝缘层包含氢；以及所述第三绝缘层上的支撑衬底，所述支撑衬底以夹着所述第三绝缘层的方式键合到所述第二绝缘层，其中，包含在所述单晶半导体层中的所述第一卤素以其浓度朝向与所述单晶半导体层的所述支撑衬底一侧相对的面升高的方式分布。

专利地区：日本