一种具有P型埋层结构的槽栅二极管专利登记公告

专利名称：一种具有P型埋层结构的槽栅二极管

摘要：一种具有P型埋层结构的槽栅二极管，属于半导体器件技术领域。包括N+衬底、背面的金属化阴极和正面的N-漂移区；N-漂移区顶部两侧之外是槽型栅电极和栅氧化层；N-漂移区顶部两侧分别具有一个N型重掺杂区，两N型重掺杂区之间具有一个P型重掺杂区；P型重掺杂区正下方具有两个以上相互间隔、均匀分布的条形P型埋层区；P型埋层区和P型重掺杂区之间具有若干间隔分布的P型柱区。P型埋层区、N型重掺杂区、栅氧层三者之间形成载流子积累区A，相邻两个P型埋层区之间的区域形成电子通路B。本发明通过引入一个P型埋层区，使得器件在不影响

专利类型：发明专利

专利号：CN201210049388.5

专利申请（专利权）人：电子科技大学

专利发明（设计）人：李泽宏;赵起越;余士江;张金平;任敏;张波

主权项：一种具有P型埋层结构的槽栅二极管，其结构包括N+衬底(2)，位于N+衬底(2)背面的金属化阴极(1)，位于N+衬底(2)正面的N?漂移区(3)和位于整个二极管顶层的金属化阳极(9)；在N?漂移区(3)的顶部两侧之外分别具有一个槽型栅电极(5)，两个槽型栅电极(5)与N?漂移区(3)之间分别通过各自的二氧化硅栅氧化层(4)相隔离；在N漂移区(3)的顶部两侧分别具有一个条形N型重掺杂区(7)，两个条形N型重掺杂区(7)之间具有一个条形P型重掺杂区(8)；在条形P型重掺杂区(8)下方、且位于两个二氧化硅栅氧化层

专利地区：四川