一种基于多孔道均流的瞬态电压抑制器专利登记公告

专利名称：一种基于多孔道均流的瞬态电压抑制器

摘要：本发明公开了一种基于多孔道均流的瞬态电压抑制器，包括P+衬底层和P-外延层；第一外延区与P+衬底层之间设有N+埋层，第二外延区上设有N+有源注入区；第一外延区上嵌有N阱，N阱上设有P+有源注入区；P+有源注入区通过金属电极与N+有源注入区相连；N阱与铺设于第一外延区上的N+有源注入层相连；N+有源注入层通过若干内填有N型材料的孔道与N+埋层相连。本发明通过采用多孔道均流技术，将ESD电流均匀引至齐纳结，使得齐纳结收集到的电流密度大体相同，避免了由于电流密度不同导致齐纳结局部失效的现象，有效增大结面积的利用

专利类型：发明专利

专利号：CN201210052003.0

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：董树荣;吴健;韩成功;黄丽;苗萌;曾杰;马飞;郑剑锋

主权项：一种基于多孔道均流的瞬态电压抑制器，包括P+衬底层(1)；所述的P+衬底层(1)上设有P?外延层(2)，P+衬底层(1)底部设有接地电极(9)；所述的P?外延层(2)通过外隔离环(42)和内隔离环(41)被分割成两块区域：位于内隔离环(41)内的第一外延区(21)和位于外隔离环(42)与内隔离环(41)之间的第二外延区(22)；所述的第一外延区(21)与P+衬底层(1)之间设有N+埋层(11)，所述的第二外延区(22)上设有四个N+有源注入区(6)；其特征在于：所述的第一外延区(21)上嵌有四个N阱(3)

专利地区：浙江