用于原子层沉积的涡流室盖专利登记公告

专利名称：用于原子层沉积的涡流室盖

摘要：一种用于原子层沉积的涡流室盖。本发明的实施方式是关于在原子层沉积工艺期间沉积材料至衬底上的设备和方法。在一实施方式中，提供用于处理衬底的处理室，其包括含有置中设置的气体分配道的室盖组件，其中气体分配道的汇流部往气体分配道的中心轴逐渐变细，气体分配道的分流部则背离中心轴逐渐变细。室盖组件还包含从气体分配道的分流部延伸至室盖组件的周围部分的锥形底面，其中锥形底面经构形及调整大小以基本上覆盖住衬底，且二导管耦接至气体分配道的汇流部的气体入口并设置以提供遍及气体分配道的环形气流。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210033172.X

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：吴典晔;庞尼特·巴贾;袁晓雄;史蒂文·H·金;舒伯特·S·楚;保罗·F·马;约瑟夫·F·奥布赫恩

主权项：一种用于原子层沉积的腔室，所述腔室包括：衬底支撑件，所述衬底支撑件包括衬底承接面；以及室盖组件，所述室盖组件包括：扩大通道，沿着中心轴延伸并位于所述室盖组件的中间部分；锥形底面，从所述扩大通道延伸至所述室盖组件的周围部分，其中所述锥形底面经构形及调整大小以基本上覆盖住所述衬底承接面；第一导管，耦接至第一气体通路，其中所述第一气体通路环绕所述扩大通道且包括延伸入所述扩大通道的多个第一入口；以及第二导管，耦接至第二气体通路，其中所述第二气体通路环绕所述扩大通道且包括延伸入所述扩大通道的多个第二入口，并且所述多

专利地区：美国