用于原子层沉积的涡流室盖专利登记公告

专利名称：用于原子层沉积的涡流室盖

摘要：一种用于原子层沉积的涡流室盖。本发明的实施方式是关于在原子层沉积工艺期间沉积材料至衬底上的设备和方法。在一实施方式中，提供用于处理衬底的处理室，其包括含有置中设置的气体分配道的室盖组件，其中气体分配道的汇流部往气体分配道的中心轴逐渐变细，气体分配道的分流部则背离中心轴逐渐变细。室盖组件还包含从气体分配道的分流部延伸至室盖组件的周围部分的锥形底面，其中锥形底面经构形及调整大小以基本上覆盖住衬底，且二导管耦接至气体分配道的汇流部的气体入口并设置以提供遍及气体分配道的环形气流。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210033178.7

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：吴典晔;庞尼特·巴贾;袁晓雄;史蒂文·H·金;舒伯特·S·楚;保罗·F·马;约瑟夫·F·奥布赫恩

主权项：一种用于半导体处理室的注入器，所述注入器包括：基底，所述基底限定中心气体分配道的一部分；多个狭缝，所述多个狭缝形成在所述基底中且设置为围绕所述中心气体分配道；第一气体通路，所述第一气体通路形成在所述基底中且耦接至邻接所述多个狭缝的第一气体节环；以及第二气体通路，所述第二气体通路形成在所述基底中且耦接至设置在所述第一气体节环下方邻接所述多个狭缝的第二气体节环。

专利地区：美国