钛合金表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：钛合金表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法

摘要：本发明公开了一种在钛合金基片表面制备磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的方法。该方法包括如下步骤：首先，将清洗后的钛合金片在氢氧化钾水溶液中进行羟基化处理；其次，在羟基化的钛合金表面采用自组装法制备硅烷薄膜；然后将基片放入稀土改性的碳纳米管悬浮液中，在其表面制备稀土改性碳纳米管薄膜。本发明方法简单，成本低，对环境无污染；制得的磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜界面结合牢固、摩擦系数低，具有较好的耐磨性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210034201.4

专利申请（专利权）人：上海交通大学

专利发明（设计）人：程先华;方磊;雷子恒;王传英;疏达

主权项：一种在钛合金表面形成磷酸基硅烷?碳纳米管复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、室温下，将经过表面抛光处理的钛合金片放入氢氧化钾水溶液中浸泡，取出后清洗干净，烘干；步骤二、将处理后的钛合金片放置于新鲜的硅烷溶液中浸泡2?4小时，取出后清洗干净，烘干；所述硅烷溶液为按C1?C3的脂肪醇、水和有机硅烷的体积比为96∶2∶2配制的硅烷溶液；所述有机硅烷选自于γ?氨丙基三乙氧基硅烷、(2?巯基丙基)三甲氧基硅烷、巯丙基甲基二甲氧基硅烷、2?(3，4?环氧环己烷基)乙基三甲氧基硅烷、2?(3，4?环氧

专利地区：上海