微电极阵列结构专利登记公告

专利名称：微电极阵列结构

摘要：本发明公开了一种微电极阵列结构。具体地，公开了一种微电极阵列结构装置，包括：a.底板，包括置于衬底的顶表面上的多个微电极的阵列，所述多个微电极由介电层覆盖，其中每个所述微电极连接到接地结构中的至少一个接地元件，在所述介电层和所述接地元件的顶部设置有疏水层，以生成具有液滴的疏水表面；b.现场可编程结构，用于编程一组配置电极，以便以选定的形状和尺寸产生微流体组件和布局；以及c.系统管理单元，包括液滴操纵单元和系统控制单元。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210034566.7

专利申请（专利权）人：王崇智;何庆延;黄大卫;王文生

专利发明（设计）人：王崇智;何庆延;黄大卫;王文生

主权项：一种微电极阵列结构装置，包括：a.底板，包括置于衬底的顶表面上的多个微电极的阵列，所述多个微电极由介电层覆盖，其中每个所述微电极连接到接地结构中的至少一个接地元件，在所述介电层和所述接地元件的顶部设置有疏水层，以生成具有液滴的疏水表面；b.现场可编程结构，用于编程一组配置电极，以便以选定的形状和尺寸产生微流体组件和布局；以及c.系统管理单元，包括液滴操纵单元和系统控制单元。

专利地区：美国