一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路专利登记公告

专利名称：一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路

摘要：一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路，包括四个PMOS管P0~P3，六个NMOS管N0~N5，其中PMOS管P0与NMOS管N0,PMOS管P1与NMOS管N1以及PMOS管P2与NMOS管N2分别组成第一、二、三共三个反相器，第一、二反相器与NMOS管N4管组成交叉耦合的反相器链，第一反相器的输入连接第二反相器的输出，第二反相器的输入连接NMOS管N4的漏端，N4的源端连接第一反相器的输出，第一反相器的输出连接第三反相器的输入，第三个反相器的输出连接NMOS管N5的源端，N5的漏端连接读位线RBL，第二

专利类型：发明专利

专利号：CN201210035887.9

专利申请（专利权）人：安徽大学

专利发明（设计）人：柏娜;吴秀龙;谭守标;李正平;孟坚;陈军宁;徐超;代月花;仇名强

主权项：一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路，其特征是，包括四个PMOS管P0～P3，六个NMOS管N0～N5，其中PMOS管P0与NMOS管N0，PMOS管P1与NMOS管N1以及PMOS管P2与NMOS管N2分别构成第一、第二、第三反相器，第一反相器与第二反相器与NMOS管N4组成交叉耦合的反相器链，电路的连接关系如下：第一反相器中，PMOS管P0的衬底与栅端连接在一起并与NMOS管N0的栅端连接后作为第一反相器的输入端，PMOS管P0的漏端与NMOS管N0的漏端连接后作为第一反相器的输出端，PMOS管P0的

专利地区：安徽