一种单端操作的亚阈值存储单元电路专利登记公告

专利名称：一种单端操作的亚阈值存储单元电路

摘要：一种单端操作的亚阈值存储单元电路，设有两个PMOS管P1、P2及七个NMOS管N1～N7，P1及P2的体端均分别与各自的源级连接后与电源电压Vdd连接,七个NMOS管N1～N7的体端以及N1、N2、N7的源极均接地，N3的栅极与行写控制信号RWR连接，N4的栅极与列写控制信号CWR连接，N2与P2组成一个反相器，其输出端连接到N2和P2的栅极，其输入端连接到P1的漏极，N5的栅极与读字线RWL连接，N5的漏极与读位线RBL连接，N6的源级与写位线WBL连接，N6的栅极与写字线WWL连接。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210036104.9

专利申请（专利权）人：安徽大学

专利发明（设计）人：吴秀龙;柏娜;谭守标;李正平;孟坚;陈军宁;徐超;代月花;龚展立

主权项：一种单端操作的亚阈值存储单元电路，其特征在于：设有两个PMOS管P1、P2及七个NMOS管N1～N7，两个PMOS管P1及P2的体端均分别与各自的源级连接后与电源电压Vdd连接，PMOS管P1的漏极与NMOS管N3、N4、N6的漏极、NMOS管N2的栅极以及PMOS管P2的栅极连接在一起，PMOS管P1的栅极与NMOS管N1、N7的栅极、PMOS管P2的漏极以及NMOS管N2的漏极连接在一起，七个NMOS管N1～N7的体端以及NMOS管N1、N2、N7的源极均接地，NMOS管N1的漏极与NMOS管N3、N

专利地区：安徽