一种SRAM位线漏电流补偿电路专利登记公告

专利名称：一种SRAM位线漏电流补偿电路

摘要：一种SRAM位线漏电流补偿电路，作为SRAM电路的辅助电路，包括两个完全相同的补偿电路共同实现对SRAM主电路的辅助补偿。每个补偿电路设有两个输入∕输出端，一个控制信号CON，用于控制位线漏电流补偿电路的工作模式，每个电流补偿电路包括5个PMOS管和6个NMOS管，补偿电路在正常工作状态下通过检测主电路中两根位线上的电位变化率的变化情况，自动让主电路中放电较慢的一端位线信号放电更慢，让主电路中放电较快的一端位线信号放电更快，从而消除SRAM位线上较大漏电流对主电路的影响，为后续电路信号的正确识别提供帮助。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210052508.7

专利申请（专利权）人：安徽大学

专利发明（设计）人：谭守标;吴秀龙;柏娜;李正平;孟坚;陈军宁;徐超;高珊;李瑞兴

主权项：一种SRAM位线漏电流补偿电路，其特征是，该电路作为SRAM电路的辅助电路，设有两个完全相同的补偿电路，每个补偿电路包括五个PMOS管P1~P5和六个NMOS管N1~N6；PMOS管P1~P5的源端均分别与各自的体端连接并连接电源电压VDD，NMOS管N1~N6的体端均连接电源地VSS，NMOS管N1的源端、NMOS管N2的源端、NMOS管N6的源端均分别与各自的体端连接，?PMOS管P1的漏端连接NMOS管N1的漏端，PMOS管P1的栅端与PMOS管P2的栅端及漏端、PMOS管P3的漏端以及NMOS管N

专利地区：安徽