一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路专利登记公告

专利名称：一种存储单元及单端低摆幅位线写入电路

摘要：本发明涉及一种存储结构及单端低摆幅位线写入电路，该电路包括：至少1个存储单元和包含第一反相器(I1)的驱动电路；所述第一反相器(I1)的输入端用于写入数据(D)；其特征在于，所述驱动电路还包括：第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第一NMOS晶体管(N1)和第二NMOS晶体管(N2)；该写入电路还包括反馈控制电路；所述存储单元包括：第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体

专利类型：发明专利

专利号：CN201110004654.8

专利申请（专利权）人：中国科学院声学研究所

专利发明（设计）人：王东辉;闫浩;洪缨;侯朝焕

主权项：一种存储结构及单端低摆幅位线写入电路，包括：至少1个存储单元和包含第一反相器(I1)的驱动电路；所述第一反相器(I1)的输入端，连接写入数据信号(D)；其特征在于，所述驱动电路还包括：第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第一NMOS晶体管(N1)和第二NMOS晶体管(N2)；所述写入电路还包括具有电压滞回效应的反馈控制电路；所述存储单元包括：第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六N

专利地区：北京