一种相变存储器的置位电路及其置位方法专利登记公告

专利名称：一种相变存储器的置位电路及其置位方法

摘要：本发明公开了一种相变存储器的置位电路，由可调电压脉冲源与第一开关电路的第一端相连；所述可变斜率电压脉冲源的输出端与NMOS管的栅极相连；所述第一开关电路的第二端和NMOS管的漏极与相变电阻的第一端相连；相变电阻的第二端与选通管的漏极相连；选通管的源极和NMOS管的源极分别接地；可调电压脉冲源在执行置位操作时，输出第一电压脉冲；所述第一开关电路在第一电压脉冲到来时闭合，在第一电压脉冲结束时断开；所述可变斜率电压脉冲源在第一电压脉冲结束时输出线性上升的第二电压脉冲给NMOS管；NMOS管在收到第二电压脉冲时导

专利类型：发明专利

专利号：CN201210036696.4

专利申请（专利权）人：北京时代全芯科技有限公司

专利发明（设计）人：王瑞哲;洪红维;董骁;黄崇礼

主权项：一种相变存储器的置位电路，其特征在于，包括：可调电压脉冲源、第一开关电路、可变斜率电压脉冲源、NMOS管、相变电阻和选通管；所述可调电压脉冲源与第一开关电路的第一端相连；所述可变斜率电压脉冲源的输出端与NMOS管的栅极相连；所述第一开关电路的第二端和NMOS管的漏极与相变电阻的第一端相连；相变电阻的第二端与选通管的漏极相连；选通管的源极和NMOS管的源极接地；可调电压脉冲源在执行置位操作时，输出满足SET操作所需温度要求的第一电压脉冲；所述第一开关电路在第一电压脉冲到来时闭合，在第一电压脉冲结束时断开；所

专利地区：北京