胶体光子晶体中可控线缺陷的制备方法专利登记公告
专利名称：胶体光子晶体中可控线缺陷的制备方法
摘要：本发明公布了一种胶体光子晶体中可控线缺陷的制备方法，该方法包括如下步骤：分布密度可控地制备TiO2纳米棒阵列；将胶体状态的颗粒分散在分散介质中制备分散液；将所述TiO2纳米棒阵列放入容器中，使得TiO2纳米棒的朝向为竖直向上；将所述分散液加入到盛有所述TiO2纳米棒阵列的所述容器中；以及静置所述容器使胶体状态的颗粒自由沉降得到具有可控线缺陷的光子晶体。所述方法能够制备具有线缺陷的光子晶体，且线缺陷的分布密度可控。通过调节TiO2纳米棒阵列中TiO2纳米棒的分布密度即可控制光子晶体中线缺陷的分布密度。所述方
专利类型：发明专利
专利号：CN201210037987.5
专利申请（专利权）人：北京交通大学
专利发明（设计）人：张辉;徐骁龙;富鸣
主权项：胶体光子晶体中可控线缺陷的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：分布密度可控地制备TiO2纳米棒阵列；将胶体状态的颗粒分散在分散介质中制备分散液；将所述TiO2纳米棒阵列放入容器中，使得TiO2纳米棒的朝向为竖直向上；将所述分散液加入到盛有所述TiO2纳米棒阵列的所述容器中；以及静置所述容器使所述胶体状态的颗粒自由沉降得到具有可控线缺陷的光子晶体。
专利地区：北京
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