等离子体处理装置专利登记公告

专利名称：等离子体处理装置

摘要：本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置与以往相比能够更细致地控制等离子体。该等离子体处理装置包括：第一接地构件，其由导电性材料形成，整体形状形成为环状，以至少一部分暴露于处理空间的方式配置在处理腔室内，用于形成接地电位；第二接地构件，其与第一接地构件相对地设置在形成于处理腔室下部的排气空间内，由导电性材料形成，整体形状形成为环状，至少一部分暴露于排气空间，用于形成接地电位；接地棒，其在第一接地构件与第二接地构件之间上下运动，与第一接地构件及第二接地构件中的任一个接触，能够调整第一接地构件及第二

专利类型：发明专利

专利号：CN201210039725.2

专利申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社

专利发明（设计）人：保坂勇贵;古谷直一;大秦充敬

主权项：一种等离子体处理装置，其特征在于，该等离子体处理装置包括：处理腔室，其在内部形成处理空间；下部电极，其配置在上述处理腔室内，兼作为用于载置被处理基板的载置台；上部电极，其与上述下部电极相对地配置在上述处理腔室内；高频电源，其用于对上述下部电极施加高频电力；处理气体供给机构，其用于向上述处理空间中供给被等离子体化的处理气体；第一接地构件，其由导电性材料形成，整体形状形成为环状，以至少一部分暴露于上述处理空间的方式配置在上述处理腔室内，用于形成接地电位；第二接地构件，其与上述第一接地构件相对地设置在形成于上述

专利地区：日本