一种改变锗单晶导电型号的方法专利登记公告

专利名称：一种改变锗单晶导电型号的方法

摘要：本发明公开了一种改变锗单晶导电型号的方法。在常温下，采用磁控溅射法在n型锗单晶片表面沉积90～110nm厚的镍或金薄膜；将表面沉积镍或金薄膜的n型锗单晶片，于快速热处理炉中，通入保护气体，升温到725～875℃，保温30～180秒；经处理后表面沉积镍或金薄膜的n型锗单晶片，降温到195-205℃，于空气中冷却样品至常温。本发明利用快速热处理法扩散镍或金改变n型锗单晶的导电型号，操作简单，效率高，可以得到载流子浓度分布均匀的p型锗单晶，可应用于太阳电池、红外、微电子等半导体材料领域。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210040707.6

专利申请（专利权）人：浙江理工大学

专利发明（设计）人：席珍强;梁萍兰;杜平凡;徐敏

主权项：一种改变锗单晶导电型号的方法，其特征在于该方法的步骤如下：??1）在常温下，采用磁控溅射法在n型锗单晶片表面沉积90～110?nm厚的镍或金薄膜；2）将表面沉积镍或金薄膜的n型锗单晶片，快速热处理炉中，通入保护气体，升温到725～875?℃，保温30～180秒；3）经步骤2）处理后表面沉积镍或金薄膜的n型锗单晶片，降温到195?205?℃，于空气中冷却样品至常温。

专利地区：浙江