选择性接触的太阳电池前电极的制作方法专利登记公告

专利名称：选择性接触的太阳电池前电极的制作方法

摘要：本发明涉及一种选择性接触的太阳电池前电极的制作方法，首先用刻蚀浆料印刷或者激光开槽的方法在制备完SiNx减反膜的硅片上开槽，使之将该部分SiNx腐蚀掉，露出前电极与硅选择性接触的部分；然后印刷不含玻璃料的银浆料形成一种选择性接触的前电极。本发明相比于普通的产业太阳电池前电极来说，前电极与硅直接接触的面积大大减小，从而减小了金属-半导体接触界面处的载流子复合，可以提高太阳电池的效率；如果将其应用于高效的太阳电池结构如选择性发射结太阳电池等，还可以将太阳电池的效率进一步提升。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210042298.3

专利申请（专利权）人：常州天合光能有限公司

专利发明（设计）人：李中兰

主权项：一种选择性接触的太阳电池前电极的制作方法，其特征在于包括以下步骤：1)对硅片进行前处理；2)用刻蚀浆料印刷或者激光开槽的方法在制备完SiNx减反膜的硅片上开槽，使之将该部分SiNx腐蚀掉，露出前电极与硅选择性接触的部分；3)印刷背电极及背电场；4)印刷前电极。

专利地区：江苏