一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器专利登记公告
专利名称：一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器
摘要：本发明涉及一种紫外探测器，尤其涉及一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器。一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其中，器件包括衬底，依次生长在衬底上的缓冲层，n型掺杂GaN层，非掺杂或低掺杂浓度的本征GaN吸收层，低掺杂浓度的n型GaN层，低掺杂浓度的n型AlGaN组分缓变层，非掺杂的本征AlxGa1-xN倍增层，p型掺杂AlGaN组分缓变层，p型掺杂GaN层。本发明提供了一种可实现低噪声、高增益的高性能紫外雪崩光电探测器。由于器件的特殊结构，正入射的信号即可实现空穴触发
专利类型：发明专利
专利号：CN201210040786.0
专利申请（专利权）人：中山大学
专利发明（设计）人：黄泽强;江灏
主权项：一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器，其特征在于：器件包括衬底（1），依次生长在衬底（1）上的缓冲层（2），n型掺杂GaN层（3），非掺杂或低掺杂浓度的本征GaN吸收层（4），低掺杂浓度的n型GaN层（5），低掺杂浓度的n型AlGaN组分缓变层（6），非掺杂的本征AlxGa1?xN倍增层（7），p型掺杂AlGaN组分缓变层（8），p型掺杂GaN层（9）。
专利地区：广东
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