基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器及制备方法专利登记公告

专利名称：基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器及制备方法

摘要：本发明公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN结构紫外探测器件及制备方法，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n+型GaN层、本征GaN层，p型GaN层。在p层表面淀积p欧姆接触电极，将p型薄膜层和本征层刻蚀至n+型薄膜层，刻蚀台面形状为圆形、方形或六边形，在n+型层上淀积n型欧姆接触电极，n型电极为环形或方形。生长钝化层并开孔，暴露出p、n型电极，最后在p电极与n电极上生长加厚电极。本发明方法所制备的器

专利类型：发明专利

专利号：CN201210073695.7

专利申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所

专利发明（设计）人：刘福浩;许金通;李向阳;王荣阳;刘秀娟;陶利友;刘诗嘉;孙晓宇

主权项：一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN结构紫外探测器件，其结构为：在衬底上首先生长GaN缓冲层(2)，然后在它之上依次生长n+型GaN材料层(3)、本征型GaN材料层(4)和p型GaN材料层(5)，p型欧姆接触电极(6)位于p型GaN材料层(5)上，n型欧姆接触电极(7)位于刻蚀台阶后暴露出的n+型GaN材料层(3)上，器件表面及侧面覆盖有钝化层(8)，钝化层(8)在p型电极与n型电极位置处开有让电极裸露出来的孔，p型欧姆接触电极与n型欧姆接触电极之上有加厚电极(9)；其特征在于：所述的衬底(1)为图形

专利地区：上海