一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法专利登记公告
专利名称：一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法
摘要：一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PN太阳能电池设有衬底，在衬底上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在半导体层底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。通过采用所述与表面平行的横向p-n结，即内建电场呈与表面平行分布的结构，光生载流子在所述横向结构中只有漂移运动而无需扩散运动，同时在保证空间电荷区有充分光吸收的前提下，所述横向结构能够大大缩短光生
专利类型：发明专利
专利号：CN201210073222.7
专利申请（专利权）人：厦门大学
专利发明（设计）人：刘宝林;张玲;朱丽虹
主权项：一种横向结构的PN太阳能电池，其特征在于设有衬底，在衬底上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在半导体层底部蒸镀背电极，当所述衬底为p型半导体层时，所述半导体层为n型半导体层；当所述衬底为n型半导体层时，所述半导体层为p型半导体层。
专利地区：福建
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