一种异质结晶硅太阳电池钝化层的制备方法专利登记公告

专利名称：一种异质结晶硅太阳电池钝化层的制备方法

摘要：本发明涉及一种异质结晶硅太阳电池钝化层的制备方法，包括：采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，制得氢化氮化硅层；或者，采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，以氧化氮或者二氧化碳作为氧源，制得氢化氮氧化硅层。本发明具有气源利用率高，生长速率快，界面缺陷态少等特点，制备的薄膜的钝化效果优于等离子辅助化学气相沉积法制备的薄膜，有利于异质结电池效率的提高。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210042843.9

专利申请（专利权）人：上海中智光纤通讯有限公司

专利发明（设计）人：黄海宾;李媛媛;彭铮;周浪;魏秀琴;周潘兵

主权项：一种异质结晶硅太阳电池钝化层的制备方法，包括：采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，气压为0.2Pa～10Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度为1800℃～2200℃，衬底与热丝的距离为3～10cm，膜厚为2～10nm，制得氢化氮化硅层；或者，采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，以氧化氮或者二氧化碳作为氧源，气压为0.2Pa～10Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度为1800℃～2200℃，衬底与热丝的距离为3～10cm，膜厚为2～10nm，制得氢化氮

专利地区：上海