半导体装置以及半导体装置的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要：本发明提供半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备：布线基板，在该布线基板上搭载的半导体芯片叠层体，在半导体芯片叠层体的各半导体芯片之间的间隙填充的底部填充层，包括覆盖·形成于所述半导体芯片叠层体的外侧的模塑树脂的密封层。底部填充层包括包含胺系的固化剂的树脂材料的固化物，该固化物具有65℃以上且100℃以下的Tg。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210043825.2

专利申请（专利权）人：株式会社 东芝

专利发明（设计）人：福田昌利;渡部博

主权项：一种半导体装置，其特征在于，具备：布线基板，其在至少一个主面具有布线层；半导体芯片叠层体，其在所述布线基板的所述主面安装，以预定的间隔重叠配置有2个以上的半导体芯片，且各半导体芯片相互地经由凸起被电连接；底部填充层，其包括在所述半导体芯片叠层体的各半导体芯片之间的间隙填充的树脂；和密封层，其包括覆盖并形成于所述半导体芯片叠层体的外侧的模塑树脂；所述底部填充层包括包含胺系的固化剂的树脂材料的固化物，且所述固化物的玻璃化转变温度(Tg)为65℃以上且100℃以下。

专利地区：日本