晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法专利登记公告

专利名称：晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法

摘要：一种晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法，包括：步骤1：在绝缘的衬底上通过光刻，电子束蒸发方法制作图形金属电极；步骤2：在绝缘衬底上的金属电极的位置植金球，该金球为间隔设置，将已划裂分选的芯片焊接在植金球的金属电极的位置；步骤3：通过打线工艺，采用金属线将芯片和相邻未植金球的金属电极连接；步骤4：在已制作好的模具上涂上脱模剂，注入按预定比例混合的荧光粉和硅胶；步骤5：将芯片对准模具模孔，压合绝缘衬底同模具，放入烘箱一预定时间；步骤6：分离模具与绝缘衬底，完成晶圆级垂直结构发光二极管的封装。本方法有利于简化封

专利类型：发明专利

专利号：CN201210043833.7

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：汪炼成;郭恩卿;谢海忠;伊晓燕;王国宏

主权项：一种晶圆级垂直结构发光二极管封装的方法，包括：步骤1：在绝缘的衬底上通过光刻，电子束蒸发方法制作图形金属电极；步骤2：在绝缘衬底上的金属电极的位置植金球，该金球为间隔设置，将已划裂分选的芯片焊接在植金球的金属电极的位置；步骤3：通过打线工艺，采用金属线将芯片和相邻未植金球的金属电极连接；步骤4：在已制作好的模具上涂上脱模剂，注入按预定比例混合的荧光粉和硅胶；步骤5：将芯片对准模具模孔，压合绝缘衬底同模具，放入烘箱一预定时间；步骤6：分离模具与绝缘衬底，完成晶圆级垂直结构发光二极管的封装。

专利地区：北京